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　　10月29日,Yole Group发布了最新版《功率氮化镓2025》(Power GaN 2025)报告。报告显示,功率氮化镓(GaN)器件市场正以惊人的速度增长,从2024年的3.55亿美元增长到2030年的约30亿美元,复合年增长率(CAGR)高达42%,未来六年将实现六倍增长。功率GaN正在从潜力转化为生产现实，Yole Group化合物半导体技术与市场分析师Roy Dagher表示，我们看到所有终端市场都在加速采用。其效率、紧凑性和性能优势使其成为未来十年电力电子的关键技术。

　　玻璃通孔 (TGV) 是穿过玻璃基板的关键垂直电气连接。它们需要超高精度的加工，这导致了许多必须克服的障碍。毕竟，玻璃很脆，这不仅给操作带来了挑战，也给整个制造过程中带来了许多其他潜在问题。从面板上的激光加工到湿法蚀刻、金属化和平面化，每一步都可能出现各种误差，包括裂纹、关键尺寸偏差、碎屑清除不彻底、空隙、过填充和过度抛光（图 2）。裂纹尤其成问题。工艺早期出现的小裂纹有可能在后期发展成更大的、甚至可能是“致命”的缺陷，从而影响最终产品的性能和可靠性。

　　通孔形成后，基板需进行清洗和表面处理。这包括湿法化学刻蚀和等离子处理，以去除碎屑并为金属化做好准备。此步骤必须精细控制，以避免热损伤。常见的挑战包括控制热输入和碎屑排出。潜在的缺陷包括热应力引起的微裂纹和不规则的通孔轮廓，这些都会使后续的金属沉积变得复杂。此外，碎屑清除不彻底会导致电镀过程中出现空隙，从而影响通孔填充的完整性；而过度刻蚀则会损坏通孔壁或降低后续层的附着力，这两种情况都可能导致最终器件的可靠性问题。

　　首先，国际巨头主导国内市场。虽然芯片战越打越激烈，但国际设备依然是中国市场的主流产品，中国市场实质还是由五个国际巨头ASML、AMAT、LAM、TEL和KLA主导。由于光刻机过于特殊，只看ASML之外的四大巨头。最新财报显示四大巨头中国市场的占比分别是：AMAT为35%（2025Q3），Lam为43%（9月季报），TEL为38.6%（2026财年Q1），KLA为39%（2026财年 Q1）。由此可见，中国大陆现在还是这四家国际巨头的最大市场，国外巨头技术先进，产品齐全，具有全方位的、绝对的优势。

　　三，竞争格局已经形成，大厂讲究门当户对，中小设备公司很难打进一线大厂。当初国内头部企业替代国际企业时，出于产业链安全的考量，国内芯片制造公司愿意提供试错机会。但是当后来的其它国内企业开始尝试替代这些先发的设备企业时（业内称其为“替代国产”），除非价格非常有优势，否则芯片制造企业接纳新客户的动力不足。在国内设备企业具备一定水平后，一线Fab对于对设备的精度、稳定性、可靠性要求也提高了，要求设备企业具备同等级的研发体系、工艺积累。当Fab和设备厂商讲究门当户对时，中小企业的机会就非常小了。

　　四，即便能进入Fab，中小设备企业基本只能免费demo，回款难度大，很难从大厂挣到钱。购买国际设备时，交易流程是按照国际公司的付款规则：先有预付款，收货后有中期款，只有少量的验收后的尾款。甚至有的产品需要100%的预付款，交货周期还很长。少数国内公司（可能如北方华创和中微）可以享受类似待遇，多数国内公司，尤其是中小公司，又要面临十多年前免费demo、难验收、难收款的困境。但即便如此，现在Fab能给中小设备企业免费demo，已经是关照有加了。

　　不过，陈立武此前也曾明确表态，倘若Intel 14A工艺无法赢得重要外部客户的青睐，也未能达成关键里程碑，那么公司极有可能放缓甚至叫停14A以及后续先进制程节点的开发工作。这一定程度上说明14A等工艺的市场表现，将直接左右英特尔晶圆代工业务的生死存亡。根据半导体分析机构SemiAnalysis数据，2025年英特尔晶圆代工营收预计1.2亿美元，仅为台积电同期收入的千分之一。相较于英特尔那数额巨大的资本支出，尤其是公司在18A等先进制程方面投入的巨额资金，这一数字简直不值一提。

　　与此同时，人工智能半导体相关公司占据了前十名中的七席。据估计已超越苹果的英伟达（NVIDIA，占比22-25%）位居榜首，紧随其后的是AMD（约占10%），该公司正努力追赶英伟达。此外，谷歌（约占5%）、微软（约占4%）和亚马逊（约占3%）这三家超大规模数据中心巨头也位列其中，它们将自身人工智能半导体（ASIC）的生产外包。另外，为超大规模数据中心设计ASIC的博通（约占3%）和Marvell（约占2%）也榜上有名。这七家人工智能半导体相关公司合计占总份额的约52%，它们正在大量使用台积电最先进的5nm和3nm制程工艺。